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英特尔现在满足于匹配台积电的工艺技术

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英特尔首席执行官鲍勃斯旺在与瑞士信贷举行的第23届年度技术会议的炉边聊天中表示,其7纳米工艺有望与台积电的5纳米工艺相匹配。他还指出,英特尔的5nm工艺也有望与台积电的3nm工艺相匹配。

但是,Swan并未提及的是,英特尔在制程技术方面已不再处于领先地位,其7纳米制程有望在一年后的2021年问世,而台积电的5纳米制程将在2010年之前生产器件芯片。 2020年下半年。

英特尔近期的工艺路线图

英特尔宣布22nm Tri-gate工艺时,与台积电和其他第三方代工竞争对手相比,它领先了一代多人。一方面,与仅向28nm / 32nm工艺节点转移的其他工艺相比,它采用的是较小的22nm工艺。其次,仅改用FinFET就可以提高性能和效率。在那之后的多年中,英特尔的流程领导地位一直无人能及。

唯一的例外是移动芯片,其22nm FinFET Atom芯片几乎无法与28nm平面节点上的最新高端Arm芯片匹配,并且启动成本更高。这就是为什么英特尔最终试图将Atom设计授权给中国的无晶圆厂半导体公司,以便它们在台积电的28nm工艺上更便宜地制造自己的 Atom芯片。

但是,这也不可行,因为与每次设备发布所依赖的Arm芯片相比,很少有设备制造商对这种折衷感兴趣。

然后,英特尔切换到14纳米,这也不是很顺利。该公司在使用Broadwell芯片方面遇到了一些延迟,这是第一批使用14nm工艺的芯片。英特尔最终也很快用Skylake取代了市场上的消费者Broadwell一代。

切换到14nm的原因也很坎was,这是因为Intel计划将芯片密度提高2.4倍,最终实现起来有些困难,但该公司最终成功实现了这一目标。

但是,英特尔没有将这一教训牢记在心,而是尝试通过10纳米工艺更加积极地将密度提高2.7倍。经过多年的拖延,该公司最近承认目同乐棋牌标对公司来说太过激进了。

这就是为什么英特尔将其迁移至7nm EUV的原因,将密度增加的比例缩减至2.0倍。切换到极紫外光刻工艺的过程非常困难。这也是英特尔继三星和台积电之后的首次尝试实施EUV的尝试。

从领导者到追随者?

尽管英特尔首席执行官的说法旨在向客户和合作伙伴保证,该公司仍具有与台积电一样的竞争力,但该声明并非来自这方面的领导地位。

即使英特尔声称是正确的,而且该过程的确在性能,效率和密度方面大致相同,但事实是,采用台积电5纳米工艺同乐棋牌制造的芯片的设备预计将于2020年下半年问世。设备也将包括下一代iPhone。同时,英特尔最近表示将在2021年某个时候开始发布7nm芯片。

英特尔在安全处理器和固件方面也落后于AMD,仅次于最近的漏洞数量。该公司还表示,不再对庞大的市场份额感兴趣,这恰好是在AMD的Zen 2芯片有望在十多年来在消费者和数据中心市场上对英特尔的销售产生最大影响的时候。

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